[发明专利]一种基于二维碲烯薄膜的气体传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811316924.7 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN109298022A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 杨爱军;兰天松;王大伟;褚继峰;李渭娟;杨旭;王小华;荣命哲 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 覃婧婵
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 本公开揭示了一种基于二维碲烯薄膜的气体传感器,包括:传感器底座、基片、二维碲烯、测试端子和加热端子。本公开还揭示了一种制备基于二维材料碲烯薄膜的气体传感器的方法。本公开通过将二维碲烯薄膜沉积在气体传感器的基片上,能够有效的降低气体传感器的工作温度和工作能耗。
搜索关键词: 气体传感器 二维 薄膜 制备 传感器底座 薄膜沉积 测试端子 二维材料 工作能耗 加热端子
【主权项】:
1.一种基于二维碲烯薄膜的气体传感器,包括:传感器底座、基片、二维碲烯薄膜、测试端子和加热端子;其中,所述基片背向所述传感器底座的一面涂覆有金电极,通过第一电极引线焊接在所述测试端子上;所述基片面向所述传感器底座的一面涂覆有氧化钌材料,通过第二电极引线焊接在所述加热端子上;所述基片涂覆有金电极的一面沉积有二维碲烯薄膜;所述测试端子和加热端子焊接于所述传感器底座上。
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