[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法，包括：在衬底表面形成堆叠层以及贯穿堆叠层的沟道孔，堆叠层包括多层交替排布的第一氧化层和第一氮化层；在沟道孔的侧壁上形成第二氮化层，对第二氮化层进行氧化形成阻挡层，并保留部分形成在第一氮化层上的第二氮化层，其中保留的第二氮化层形成第一氮化层的第一延伸部；去除堆叠层中的第一氮化层和第一延伸部，并在第一氮化层的区域形成栅极层，在第一延伸部的区域形成栅极延伸部，其中，栅极延伸部从栅极层延伸至阻挡层内部。本发明在不影响三维存储器电学性能的情况下，避免了第二氮化层过氧化导致堆叠层中的氮化层被氧化，进而导致沟道孔内的膜层结构的孔径尺寸过大的问题。

主权项

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成堆叠层以及贯穿所述堆叠层的沟道孔，所述堆叠层包括多层交替排布的第一氧化层和第一氮化层；在所述沟道孔的侧壁上形成第二氮化层，对所述第二氮化层进行氧化形成阻挡层，并保留部分形成在所述第一氮化层上的所述第二氮化层，其中保留的所述第二氮化层形成所述第一氮化层的第一延伸部；去除所述堆叠层中的所述第一氮化层和所述第一延伸部，并在所述第一氮化层的区域形成栅极层，在所述第一延伸部的区域形成栅极延伸部，其中，所述栅极延伸部从所述栅极层延伸至所述阻挡层内部。