[发明专利]模拟复杂电磁环境的高压双指数波脉冲源生成方法有效
申请号: | 201811317435.3 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109495089B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 寇科男;王黎;李昆;常永明;戴弃军;高昕;贾文静;刘冬;金晗冰 | 申请(专利权)人: | 北京京航计算通讯研究所 |
主分类号: | H03K3/55 | 分类号: | H03K3/55;G01R31/00 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 周恒 |
地址: | 100074 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于强电磁脉冲技术领域,具体涉及一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源生成方法,该方法基于生成装置来实施,所述装置包括:直流高压发生装置、充电限流电阻、储能电容、气动高压开关、水电阻和放电电容;其中,为放电回路中的寄生阻抗,与水电阻、放电电容一起构成放电回路;本发明技术方案采用高电压等级的电容放电双指数波脉冲源方案,产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压双指数波脉冲信号。高压双指数波脉冲信号作为注入源向电子系统注入不同参数的脉冲电流,验证电子系统的电磁脉冲效应分析情况,对电子系统各端口的毁伤电流阈值进行摸底;强电磁脉冲加固后,通过脉冲电流注入试验验证加固后的防护性能。 | ||
搜索关键词: | 模拟 复杂 电磁 环境 高压 指数 脉冲 生成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源生成方法,其特征在于,所述方法基于高压双指数波脉冲源生成装置来实施,所述装置包括:直流高压发生装置(G)、充电限流电阻(R1)、储能电容(C1)、气动高压开关(K)、水电阻(R2)和放电电容(C2);其中,Z为放电回路中的寄生阻抗,与水电阻(R2)、放电电容(C2)一起构成放电回路;所述方法包括如下步骤:步骤1:所述直流高压发生装置(G)产生预先设定的高电压小电流信号;步骤2:所述充电限流电阻(R1)对所述高电压小电流信号进行限流分压;步骤3:所述储能电容(C1)接收所述充电限流电阻(R1)限流分压后的电流信号,在电流信号不断输入下,进行充电储能为高电压大电流信号,充电完成后,接通气动高压开关(K);步骤4:所述气动高压开关(K)在储能电容(C1)充电完成后,在极短时间内连通储能电容(C1)和放电回路,通过放电回路放电产生高压双指数波脉冲信号,对放电输出端和公共地线间的试品瞬间放电;同时可以通过电流探头测量放电输出端的放电电流。
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