[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201811318517.X | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110137151B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 余振华;叶松峯;陈明发;陈宪伟;刘醇鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/528;H01L21/56;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提出了半导体器件和制造方法，其中，将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第一晶圆，并且然后分割以形成第一封装件和第二封装件。然后密封第一封装件和第二封装件以及中介层通孔，并且在密封剂上方形成再分布结构。将不同封装件接合至中介层通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：将第一半导体器件和第二半导体器件附接至第一晶圆；形成与所述第一半导体器件和所述第二半导体器件相邻的第一中介层通孔；通过去除所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的部分来暴露衬底通孔；在所述第一中介层通孔周围施加介电材料；分割所述第一晶圆以形成第一封装件和第二封装件；将所述第一封装件和所述第二封装件附接至载体晶圆，其中，第二中介层通孔位于所述载体晶圆上；用密封剂密封所述第一封装件、所述第二封装件和所述第二中介层通孔；减薄所述密封剂以暴露所述衬底通孔；以及在所述密封剂上方形成再分布结构。
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