[发明专利]图像传感器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201811318820.X 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN109285853A 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;杨基磊 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 杨楷;毛立群
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种图像传感器的形成方法,通过将光电二极管布线与二极管结构连接,通过外部电路控制二极管结构将光电二极管内的光生载流子及时导出,解决图像拖尾问题。该图像传感器的形成方法包括以下步骤:提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管;形成与其中一个光电二极管耦合的二极管结构,二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域,其中,光电二极管耦合至第一掺杂区域;形成与第二掺杂区域耦合的金属互连结构。
搜索关键词: 光电二极管 掺杂区域 二极管结构 图像传感器 耦合的 金属互连结构 光生载流子 控制二极管 掺杂类型 垂直堆叠 邻接设置 图像拖尾 外部电路 耦合 布线 导出
【主权项】:
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管;形成与其中一个所述光电二极管耦合的二极管结构,所述二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与所述第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域,其中,所述光电二极管耦合至所述第一掺杂区域;形成与所述第二掺杂区域耦合的金属互连结构。
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