[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201811318820.X | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109285853A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;杨基磊 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 杨楷;毛立群 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种图像传感器的形成方法,通过将光电二极管布线与二极管结构连接,通过外部电路控制二极管结构将光电二极管内的光生载流子及时导出,解决图像拖尾问题。该图像传感器的形成方法包括以下步骤:提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管;形成与其中一个光电二极管耦合的二极管结构,二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域,其中,光电二极管耦合至第一掺杂区域;形成与第二掺杂区域耦合的金属互连结构。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 掺杂区域 二极管结构 图像传感器 耦合的 金属互连结构 光生载流子 控制二极管 掺杂类型 垂直堆叠 邻接设置 图像拖尾 外部电路 耦合 布线 导出 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管;形成与其中一个所述光电二极管耦合的二极管结构,所述二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与所述第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域,其中,所述光电二极管耦合至所述第一掺杂区域;形成与所述第二掺杂区域耦合的金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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