[发明专利]一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法有效
| 申请号： | 201811319218.8 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109399557B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 林日乐;谢佳维;赵建华;翁邦英;李文蕴;徐洲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 黄河 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法，采用与谐振芯片热膨胀系数相同材料制造芯片支架，并通过所述芯片支架将谐振芯片固定安装在MEMS谐振器件的封装外壳内，然后对封装外壳进行密封加工，完成EMS谐振器件的制造。该方法制造出的MEMS谐振器件，受外部形变或温度变化产生的应力影响小，稳定性好，环境适应性强，同时降低了制造工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 mems 谐振 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高稳定性MEMS谐振器件的制造方法，其特征在于，采用与谐振芯片热膨胀系数相同材料制造芯片支架，并通过所述芯片支架将谐振芯片固定安装在MEMS谐振器件的封装外壳内，然后对封装外壳进行密封加工，完成EMS谐振器件的制造。
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