[发明专利]一种提高多晶硅太阳能电池光电转换效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高多晶硅太阳能电池光电转换效率的方法，包括以下步骤，在具有PN结的多晶硅基片上进行刻蚀，得到周期性结构的刻蚀坑，刻蚀坑穿过PN结，形成周期性结构的孔洞；在孔洞中填充相变储能材料；将填充相变储能材料的多晶硅基片与透明导电玻璃组装成太阳能电池。多晶硅基片(6)使用HF水溶液或等离子体刻蚀，孔洞深度10～100μm，孔径5～20μm，相变储能材料(3)为相变温度25～40℃石蜡、月桂酸–葵酸二元复合材料或分子量2000以上多元醇中的一种。本发明优点：制备工艺简便、经济合理、电池温度恒定、提高电池的光电转换效率。

主权项

1.一种提高多晶硅太阳能电池光电转换效率的方法，其特征在于，多晶硅太阳能电池结构包括上下两层透明导电玻璃(4)以及填充相变储能材料(3)的多晶硅基片(6)，基片N区(1)、基片P区(2)与透明导电玻璃(4)联结，上下两层透明导电玻璃(4)之间通过导线连接一个外部负载(7)，其方法包括以下步骤：1)在具有PN结(5)的多晶硅基片(6)上进行刻蚀，得到周期性结构的刻蚀坑，刻蚀坑穿过PN结(5)，形成周期性结构的孔洞；2)在孔洞中填充相变储能材料(3)；3)将填充相变储能材料(3)的多晶硅基片(6)与透明导电玻璃(4)组装成太阳能电池。