[发明专利]应用在毫米波频段的宽带RWG与SIW的差分过渡结构有效
申请号: | 201811319750.X | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109672012B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 金华燕;卜顺秋;罗国清;范奎奎;张晓红 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/207 | 分类号: | H01P1/207;H01P3/12;H01P5/08 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 黄前泽 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了应用在毫米波频段的宽带RWG与SIW的差分过渡结构。传统的矩形波导与毫米波差分电路的过渡结构整个尺寸大,损耗高。本发明包括依次叠置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层。所述第一金属层的中部开设有第一工字形槽。第二金属层的中部开设有第二工字形槽。第一介质基板上开设第一SIW矩形谐振腔。第二介质基板上开设第二SIW矩形谐振腔和两个SIW差分传输线结构。两个SIW差分传输线结构分别设置在第二SIW矩形谐振腔的两侧。本发明具有较宽的工作带宽,较低的损耗,较好的相位、幅度的一致性,且集成度高、加工的精度要求较低。 | ||
搜索关键词: | 应用 毫米波 频段 宽带 rwg siw 过渡 结构 | ||
【主权项】:
1.应用在毫米波频段的宽带RWG与SIW的差分过渡结构,其特征在于:包括依次叠置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层;所述第一金属层的中部开设有第一工字形槽;所述的第一工字形槽包括第一中间槽和两个第一边缘槽;第一中间槽的两端与两个第一边缘槽的中部分别连通;两个第一边缘槽的槽宽均为Da,0.4λg1≤Da≤0.6λg1;第一中间槽的槽宽为Da‑2La,0.03λg1≤La≤0.09λg1;λg1为中心频率在第一介质基板中的工作波长;第二金属层的中部开设有第二工字形槽;所述的第二工字形槽包括第二中间槽和两个第二边缘槽;第二中间槽的两端与两个第二边缘槽的中部分别连通;两个第二边缘槽的槽宽为Db,0.475λg2≤Db≤0.6λg2;第二中间槽的槽宽为Db‑2Lb,0.03λg2≤Lb≤0.05λg2,λg2为中心频率在第二介质基板中的工作波长;第一介质基板上开设第一SIW矩形谐振腔;第二介质基板上开设第二SIW矩形谐振腔和两个SIW差分传输线结构;两个SIW差分传输线结构分别设置在第二SIW矩形谐振腔的两侧;第一SIW矩形谐振腔、第二SIW矩形谐振腔及两个SIW差分传输线结构均由多个金属通孔组成。
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