[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811320218.X | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109671813B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张志刚;刘春杨;董彬忠;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型欧姆接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括顺次层叠的InGaN发光阱层、发光阱保护层、以及GaN垒层，靠近所述电子阻挡层的阱垒层中的GaN垒层与所述电子阻挡层接触，所述发光阱保护层包括AlInN层，所述InGaN发光阱层为低温InGaN发光阱层，所述发光阱保护层为中温发光阱保护层，所述GaN垒层为高温GaN垒层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型欧姆接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括顺次层叠的InGaN发光阱层、发光阱保护层、以及GaN垒层，靠近所述电子阻挡层的阱垒层中的GaN垒层与所述电子阻挡层接触，所述发光阱保护层包括AlInN层，所述InGaN发光阱层为低温InGaN发光阱层，所述发光阱保护层为中温发光阱保护层，所述GaN垒层为高温GaN垒层。
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