[发明专利]一种双功能钴与氮掺杂碳复合原位电极的制备方法有效
| 申请号： | 201811320231.5 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109599565B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;杨柳;闫术芳;丁玉岳 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供一种双功能钴与氮掺杂碳复合原位电极的制备方法，利用电沉积与空气气氛退火制备片状氧化钴阵列原位电极，再沉积聚苯胺至片状氧化钴阵列的片与片、颗粒与颗粒的孔隙中间，再于保护气氛下退火反应。聚苯胺在保护气氛下退火过程中转变为碳，同时所释放的氨气等使得氧化钴还原生成钴。本发明的技术方案得到的产品，由于构筑了多种高电催化活位点，包括碳材料中氮掺杂活性位点以及由此引起的其它晶格缺陷，碳材料与钴强耦合界面，例如生成Co‑N |
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| 搜索关键词： | 一种 功能 掺杂 复合 原位 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双功能钴与氮掺杂碳复合原位电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将硝酸钴和高氯酸锂溶于去离子水中，利用电沉积在导电基底上生长氢氧化钴阵列，再将氢氧化钴阵列于空气中退火形成多孔、片状氧化钴阵列；（2）将聚苯胺沉积于多孔、片状氧化钴阵列上，干燥后于惰性气氛Ar气或N2气中500‑700℃退火反应，退火反应时间为1~5 h，得到双功能钴与氮掺杂碳复合原位电极。
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