[发明专利]改进反射率的光反射型红外发光二极管芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201811321005.9 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109786523A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李亨株 | 申请（专利权）人： | 光电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王璇;张晶 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光反射型发光二极管芯片及其制造方法，更具体地，涉及一种具有改进的发高效率的光反射型红外发光二极管芯片及其制造方法。根据本发明的光反射型发光二极管芯片在芯片内部包含具有内部为空的光反射型槽的光反射层。光反射型槽将光向上部方向反射，从而提高发光二极管的光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光反射 发光二极管芯片 红外发光二极管 芯片 制造 发光二极管 方向反射 光反射层 反射率 高效率 光效率 改进 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，在芯片内部包含具有内部为空的光反射型槽的光反射层。
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