[发明专利]集成电路制造用移送装置在审
| 申请号： | 201811321343.2 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109860088A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李政勋;金泳宇;孙旺贤;孔泰景;朴峻彻;朴鲁宰;姜辉才;李瑟 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 集成电路制造用移送装置能够将收容光掩膜的EUV盒体从收容所述EUV盒体的EUV盒体运载体搬出或将所述EUV盒体搬入所述EUV盒体运载体内。所述集成电路制造用移送装置可包括运载体端口、盒体端口、移送部件及离子发生器等。所述EUV盒体运载体可配置于所述运载体端口上，所述EUV盒体可配置于所述盒体端口上。所述移送部件可自动工作以在所述运载体端口及所述盒体端口之间沿着预先设定的路径移送所述EUV盒体。所述离子发生器在利用所述移送部件将所述EUV盒体从所述EUV盒体运载体搬出或将所述EUV盒体搬入所述EUV盒体运载体内时可从所述移送部件及所述EUV盒体去除静电。 | ||
| 搜索关键词： | 盒体 运载体 移送部件 集成电路制造 盒体端口 移送装置 离子发生器 可配置 搬出 搬入 运载 体内 静电 光掩膜 去除 收容 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路制造用移送装置，其能够将收容光掩膜的极紫外盒体从收容所述极紫外盒体的极紫外盒体运载体搬出，能够将所述极紫外盒体搬入所述极紫外盒体运载体内,其特征在于，包括：运载体端口，其上部被配置所述极紫外盒体运载体；盒体端口，其上部被配置所述极紫外盒体；移送部件，其通过自动工作在所述运载体端口及所述盒体端口之间沿着预先设定的路径移送所述极紫外盒体；以及离子发生器，其在利用所述移送部件将所述极紫外盒体从所述极紫外盒体运载体搬出或将所述极紫外盒体搬入所述极紫外盒体运载体内时从所述移送部件及所述极紫外盒体去除静电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
