[发明专利]侦测晶圆键合缺陷的方法和装置有效
| 申请号： | 201811322355.7 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109461670B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭松辉;沈新林;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种侦测晶圆键合缺陷的方法和装置，所述方法包括：将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；在所述压电元件的发射端输入第一信号；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；在键合过程中，侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号，以检测晶圆键合的缺陷及位置。本发明技术方案可以在键合过程中及时检测晶圆键合缺陷，减小晶圆键合的空洞率和缺陷率，降低晶圆键合后剥离的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测 晶圆键合 缺陷 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，包括：将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；在所述压电元件的发射端输入第一信号；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；在键合过程中，侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号，以检测晶圆键合的缺陷及位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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