[发明专利]半导体样品的抛光方法有效
| 申请号： | 201811322962.3 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111152072B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 刘慧 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B49/12 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体样品的抛光方法，所述方法包括：提供半导体样品和硅片；所述半导体样品内形成有孔结构；所述孔结构内填充有硬度大于预设值的金属材料；在所述半导体样品的表面固定所述硅片；利用绒布对所述半导体样品和所述硅片抛光，直到露出所述半导体样品的孔结构；所述硅片至少覆盖住被抛光掉的所述半导体样品。上述半导体样品的抛光方法，利用绒布抛光该半导体样品时，因半导体样品的表面固定有硅片，故能增大该半导体样品的受力时跟绒布的接触面积，在绒布抛光至该样品的孔结构时，孔结构底部被磨圆的情况可以得到改善，降低对孔结构宽度测量的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 样品 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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