[发明专利]集成光电探测器及其制作方法有效
申请号: | 201811323780.8 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109378349B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 张济志 | 申请(专利权)人: | 张济志 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 浙江省玉环市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成光电探测器及其制作方法,其中,该集成光电探测器包括:光电探测器;以及光波耦合器,集成于该光电探测器上,该光波耦合器包含:一光接收面,一出光面,以及一耦合体,连接光接收面和出光面,用于形成光通路;其中,光波耦合器的光接收面接收被探测的光信号,该被探测的光信号经过耦合体进行耦合传输,到达出光面形成出射光,该出射光进入该光电探测器。该集成光电探测器很容易实现光波耦合器与小尺寸外来光源的对准,从而实现较多的被探测的光信号进入光电探测器中,光接收灵敏度得以提高。 | ||
搜索关键词: | 集成 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成光电探测器,其特征在于,包括:光电探测器;以及光波耦合器,集成于该光电探测器上,该光波耦合器包含:一光接收面,一出光面,以及一耦合体,连接光接收面和出光面,用于形成光通路;其中,所述光波耦合器的光接收面接收被探测的光信号,该被探测的光信号经过耦合体进行耦合传输,到达出光面形成出射光,该出射光进入所述光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的