[发明专利]半导体工艺腔室及其形成方法、半导体工艺装置在审
| 申请号： | 201811324255.8 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109309035A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 代恒双;靳航;胡广严;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体工艺腔室及其形成方法、半导体工艺装置，半导体工艺腔室包括：外腔室，位于外腔室内的内腔室，所述内腔室和外腔室之间具有夹层空间；位于夹层空间内的隔热结构。半导体工艺腔室的形成方法包括：提供外腔室和位于外腔室内的内腔室，所述内腔体和外腔体之间具有夹层空间；在所述夹层空间内形成隔热结构。所述隔热结构使得内腔室内部的热量限定在内腔体内部，从而减少热量损失，提高了半导体工艺腔室的隔热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体工艺腔室 夹层空间 隔热结构 内腔室 外腔室 半导体工艺 外腔 室内 隔热性能 腔体内部 热量损失 内腔体 室内部 外腔体 内腔 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：外腔室，位于外腔室内的内腔室，所述内腔室和外腔室之间具有夹层空间；位于夹层空间内的隔热结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
