[发明专利]腔室用清洗装置及清洗方法、半导体处理设备

摘要

本发明公开了一种腔室用清洗装置、清洗方法及半导体处理设备。包括清洗等离子体源以及与清洗等离子体源连接的匀流件，匀流件上设置有加热带；加热带在匀流件的表面排列成若干个同心环状结构，并且，各同心环状结构的加热功率可调，以选择性地使得匀流件具有若干个不同的温度区。可以确保在执行完清洗工艺时，匀流件各处的温度可以快速恢复到设定的温度，温度均匀性也可以快速达到要求，进而可以缩减执行完清洗工艺的冷却时间，提高后续沉积工艺时的沉积速率和薄膜均匀性。