[发明专利]一种具有多位存储功能的非易失性存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及非易失性存储领域，尤其涉及一种具有多位存储功能的非易失性存储器，本发明提供的非易失性存储器为底栅结构，所述非易失性存储器依次包括衬底、栅电极、三层复合结构的铁电栅介质层、有机半导体层和源‑漏电极；所述的三层复合结构的铁电栅介质层依次包括铁电薄膜、超薄绝缘层1和超薄绝缘层2；所述铁电薄膜的材质包括偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯共聚物或偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氯乙烯共聚物。本发明提供的具有多位存储功能的非易失性存储器的擦写电压小于40V，场效应迁移率大于0.5cm2/Vs。

主权项

1.一种具有多位存储功能的非易失性存储器，所述非易失性存储器为底栅结构，所述非易失性存储器依次包括衬底、栅电极、三层复合结构的铁电栅介质层、有机半导体层和源‑漏电极；所述三层复合结构的铁电栅介质层依次包括铁电薄膜、超薄绝缘层1和超薄绝缘层2，所述超薄绝缘层2与所述有机半导体层接触；所述铁电薄膜的材质包括偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯共聚物或偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氯乙烯共聚物。