[发明专利]单晶硅生产用高强度石英坩埚的加工方法有效

专利信息
申请号: 201811325659.9 申请日: 2018-11-08
公开(公告)号: CN109467306B 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 李宗辉;王震;陈曼 申请(专利权)人: 锦州佑鑫石英科技有限公司
主分类号: C03B20/00 分类号: C03B20/00;C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 代理人: 王佳佳
地址: 121017 辽宁省锦州*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种单晶硅生产用高强度石英坩埚的加工方法,步骤如下:在石英坩埚模具的内表面先用石英砂覆盖附料层,并成型;在该附料层表面的指定部位再覆盖掺铝石英砂层,并成型;然后继续在内表面再覆盖高纯石英砂层,经成型后,进入熔制室,通过电弧高温真空熔制后,冷却,得到石英坩埚毛坯;经过外表面喷砂、上口切断倒角和清洗后,制成石英坩埚。优点是:加工方法简单,容易操作,通过在石英坩埚直壁部位和/或r角部位增加铝石英砂层,并控制铝含量,可以大幅度提高石英坩埚在高温条件下的抗变形率,从而大幅改善石英坩埚在高温条件下的强度,适合CZ直拉法生产硅单晶使用。
搜索关键词: 单晶硅 生产 强度 石英 坩埚 加工 方法
【主权项】:
1.一种单晶硅生产用高强度石英坩埚的加工方法,其特征是:具体步骤如下:(1)在石英坩埚模具的内表面先用石英砂覆盖一层附料层,并成型;(2)在该附料层表面的坩埚直壁部位再覆盖一层掺铝石英砂层,或/和该附料层表面的坩埚r角部位再覆盖一层掺铝石英砂层,或者在该附料层表面的坩埚直壁部位的指定位置再覆盖一层掺铝石英砂层,并成型;(3)然后继续在内表面再覆盖一层高纯石英砂层,经成型后,进入熔制室,通过电弧高温真空熔制后,冷却,得到石英坩埚毛坯;经过外表面喷砂、上口切断倒角和清洗后,制成石英坩埚;所述掺铝石英砂是在高纯石英砂中掺入铝粉,控制最终掺铝石英砂铝含量在15ppm‑50ppm。
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