[发明专利]一种半导体器件制作方法有效
| 申请号： | 201811325919.2 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111162164B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋中原;刘自明;王珏斌;车东晨;崔虎山;胡冬冬;陈璐;任慧群;邹志文;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下，首先利用反应离子刻蚀到达隔离层，然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止，仅保留少量固定层，而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层，最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理，并进行镀膜保护。通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤，不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，而且降低了过刻蚀风险，提高了器件性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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