[发明专利]一种虚拟沟槽栅结构在审
| 申请号： | 201811326034.4 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109545847A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李伟邦;骆健;李宇柱;董长城;郑婷婷 | 申请（专利权）人： | 国电南瑞科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211106 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种虚拟沟槽栅结构，包括沟槽，沟槽内表面设有栅氧化层，其特征在于，所述沟槽内设有设有栅电极，所述栅电极包括连接的第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形，所述第一栅电极为依次连接的折线，第一栅电极和第二栅电极的宽度相等。通过第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形，基于减小连接顶点外切圆半径的原则提供一种实现P浮空区的连接栅电极结构，解决现有技术中工艺实现困难，达到了当沟槽多晶硅淀积时不易产生凹口，沟槽多晶硅淀积均匀，提高多晶硅填充质量和器件性能的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 等边三角形 沟槽多晶硅 沟槽栅结构 淀积 虚拟 多晶硅填充 沟槽内表面 折线 电极结构 工艺实现 宽度相等 器件性能 依次连接 栅氧化层 连接栅 外切圆 凹口 浮空 减小 栅电 | ||
【主权项】：
1.一种虚拟沟槽栅结构，包括沟槽，沟槽内表面设有栅氧化层，其特征在于，所述沟槽内设有设有栅电极，所述栅电极包括连接的第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形，所述第一栅电极为依次连接的折线，第一栅电极和第二栅电极的宽度相等。
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