[发明专利]LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811327042.0 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109545854A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 汤茂亮;夏春秋;王阳阳;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，该器件包括：衬底、漏极、源极、栅极及漂移区，所述漂移区包括第一漂移区及位于所述第一漂移区下面的第二漂移区，其中，所述第二漂移区的宽度小于所述第一漂移区的宽度。与现有技术相比，在掺杂浓度相同的情况下，可以有效减小未耗尽区的深度，从而增大耗尽区的面积，所以可以提高LDMOS器件的击穿电压。所以在保证与现有技术相同的耐压情况下，本发明可以通过增加漂移区的掺杂浓度，降低漂移区的正向导通电阻，从而提高LDMOS器件的性能。所以本发明有效解决了现有技术中LDMOS器件提高击穿电压和降低正向导通电阻之间的矛盾问题。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 正向导通电阻 击穿电压 耗尽区 制备 掺杂 矛盾问题 有效解决 衬底 减小 漏极 耐压 源极 保证 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件至少包括：第一掺杂类型的衬底；第二掺杂类型的漂移区，位于所述第一掺杂类型的衬底内，所述第二掺杂类型的漂移区包括第一漂移区及位于所述第一漂移区下面的第二漂移区，其中，所述第二漂移区的宽度小于所述第一漂移区的宽度，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；漏极，位于所述第一漂移区内；源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；栅极结构，位于所述漏极及所述源极之间的所述第一掺杂类型的衬底表面。
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