[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法有效
申请号: | 201811329679.3 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN111180526B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 祁树坤;刘钰;王国鹏;袁广睿;马永健;陆浩;陈晖;李静;刘奕国 | 申请(专利权)人: | 无锡力芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 朱亦倩 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制造方法,瞬态电压抑制器包括:衬底;外延层,其位于衬底的上表面,外延层的杂质类型与衬底的杂质类型相反;多个深槽,所述深槽自所述外延层的上表面贯穿外延层并延伸至衬底内,多个深槽沿外延层的上表面依次间隔排布;杂质层,其位于衬底中的深槽的侧壁或底部,杂质层的杂质类型与衬底的杂质类型相反;绝缘介质,其填充于形成有杂质层的深沟槽内。与现有技术相比,本发明基于瞬态电压抑制器的深槽隔离结构,在衬底中的深槽的底部或侧壁处,形成深度不同的杂质层,这些杂质层与衬底形成一个或多个P‑N结面,从而不仅可以优化瞬态电压抑制器的雪崩击穿特性,而且可以有效降低瞬态电压抑制器的寄生电容。 | ||
搜索关键词: | 瞬态 电压 抑制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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