[发明专利]一种高效的Ni-S-B析氢电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201811330230.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109537006B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 廉冀琼;张厚安;欧阳明亮;邓沁铃;古思勇 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C22C19/03;C25B11/054;C25B11/091 |
| 代理公司： | 泉州市潭思专利代理事务所(普通合伙) 35221 | 代理人： | 麻艳 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效的Ni‑S‑B析氢电极，包括镍基体和沉积在所述镍基体表面的Ni‑S‑B镀层，所述Ni‑S‑B镀层包括以下重量百分含量的组分：Ni：40～85％，S：5～50％，B：0.1～10％。本发明还公开了其制备方法和应用，本发明提高了析氢电极的析氢催化活性，降低了析氢电极的析氢过电位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 ni 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高效的Ni‑S‑B析氢电极，其特征在于：包括镍基体和沉积在所述镍基体表面的Ni‑S‑B镀层，所述Ni‑S‑B镀层包括以下重量百分含量的组分：Ni：40～85％，S：5～50％，B：0.1～10％。
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