[发明专利]一种高纯一维SiC纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201811330531.1 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109437203B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 沈周洲;陈俊红;李斌;李广奇;门佳瑶;李经纬;张志教 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/97 | 分类号： | C01B32/97;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高纯的一维SiC纳米材料的制备方法。属于无机非金属材料领域。制备方法包括原料处理、原料混合、碳热还原和杂质处理四个步骤。其中碳热还原过程，在惰性气体保护下是将混好的原料于1500～1600℃烧结并保温4～6小时，再迅速降温至1250～1350℃保温2～4小时，随炉冷却得到白色棉花状样品。杂质处理是将得到的样品放入马弗炉内，空气气氛下升温至500～700℃保温2～4小时，得到浅绿色棉花状的高纯一维SiC纳米材料。本发明制备出的一维SiC纳米材料具有形貌均一、纯度高、长径比大、尺寸可控等结构优点；具有高强度、耐腐蚀、耐高温、出色的光致发光性能、吸波性能和介电性能等性能优势；且制备工艺简单、成本低、成品率高，可用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯一 sic 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯一维SiC纳米材料的制备方法，其特征在于主要包括原料处理、原料混合、碳热还原和杂质处理四个步骤；将含有SiO2的原料预先细磨，再和含有C的原料进行共磨混合，干燥后在惰性气体气氛下升温至1500～1600℃，保温4～6小时，再迅速降温至1250～1350℃，保温2～4小时，自然冷却后转移至马弗炉空气气氛下，500～700℃加热2～4小时除去多余的碳，得到高纯的一维SiC纳米材料。
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