[发明专利]一种耐久型ZnO纳米线阵列材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种耐久型ZnO纳米线阵列材料的制备方法，包括将基材加入到MAPS和有机溶剂组成的混合溶液中进行γ射线辐照，使得MAPS通过共价键接枝到基材上形成接枝样品；将强碱和锌盐分别溶解在乙醇溶液中后混合得到ZnO种子溶胶，将接枝样品浸入ZnO种子溶胶中，使得接枝样品的表面通过化学键锚固一层ZnO种子层，得到负载ZnO样品；将锌盐、六次甲基四胺、负载ZnO样品加入水热反应釜中，使得负载ZnO样品的表面原位生长ZnO纳米线阵列，得到耐久型ZnO纳米线阵列材料。本发明采用MAPS作为桥连剂，将ZnO种子层通过化学键锚固在基材的表面，从而赋予一维ZnO纳米线阵列超高的耐久性。

主权项

1.一种耐久型ZnO纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括步骤：S1，将基材加入到3‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和有机溶剂组成的混合溶液中进行γ射线辐照，使得3‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷通过共价键接枝到基材上形成接枝样品；S2，将强碱和锌盐分别溶解在乙醇溶液中后混合得到ZnO种子溶胶，将接枝样品浸入ZnO种子溶胶中，使得接枝样品的表面通过化学键锚固一层ZnO种子层，得到负载ZnO样品；S3，将锌盐、六次甲基四胺、负载ZnO样品加入水热反应釜中，使得负载ZnO样品的表面原位生长ZnO纳米线阵列，得到耐久型ZnO纳米线阵列材料。