[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备在审
| 申请号： | 201811331343.0 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109841687A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 智光焕 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备。公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：基板上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜上的栅极；所述栅绝缘膜上的氢供应层；与所述氧化物半导体层连接的源极；以及与所述源极间隔开并与所述氧化物半导体层连接的漏极，其中，所述氧化物半导体层包括与所述栅极交叠的沟道部分和不与所述栅极交叠的连接部分，所述连接部分的氢浓度高于所述沟道部分的氢浓度，所述栅绝缘膜包括与所述栅极交叠的第一区域和不与所述栅极交叠的第二区域，并且所述第二区域的氢浓度高于所述第一区域的氢浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 氧化物半导体层 栅绝缘膜 交叠 第二区域 第一区域 显示设备 沟道 源极 氢供应 基板 漏极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：基板上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜上的栅极；所述栅绝缘膜上的氢供应层；与所述氧化物半导体层连接的源极；以及与所述源极间隔开并与所述氧化物半导体层连接的漏极，其中，所述氧化物半导体层包括与所述栅极交叠的沟道部分和不与所述栅极交叠的连接部分，所述连接部分的氢浓度高于所述沟道部分的氢浓度，所述栅绝缘膜包括与所述栅极交叠的第一区域和不与所述栅极交叠的第二区域，并且所述第二区域的氢浓度高于所述第一区域的氢浓度。
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