[发明专利]基于单一溶液电镀的CNT与Cu复合导线的制备方法有效
申请号: | 201811332249.7 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN109637975B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 罗小嘉;李儒;李沫;姜伟;周晟;王旺平;陈飞良 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/532 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蒋斯琪 |
地址: | 621999 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明公开了基于单一溶液电镀的CNT与Cu复合导线的制备方法,通过制备CNT阵列、制备电极、刻蚀、电镀、氢气退火、电流退火,获得具有高电流载流能力的复合材料导线。本发明形成CNT/Cu复合导线的过程中,种子层与常规电镀在同一溶液中完成,避免了传统工艺中需要在乙腈/乙酸铜混合溶液中电镀种子层后再在CuSO |
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搜索关键词: | 基于 单一 溶液 电镀 cnt cu 复合 导线 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.基于单一溶液电镀的CNT和Cu复合导线的制备方法,其特征在于包括下述步骤:1)在Si片上生长一层SiO2绝缘层并作为基底;2)在基底上制备正交的CNT纺丝阵列,致密化后,在CNT纺丝阵列的两端分别制备Ti层与Au层作为电极,同时起到固定CNT纺丝阵列的作用;3)采用光刻胶作为掩膜,按照所需导线结构光刻完毕后,祛除未受光刻胶保护的CNT,再祛除光刻胶以得到CNT纺丝阵列导线;4)配置乙酸铜、乙腈的混合溶液,并以0.001A通电电流对混合溶液进行极化,直到混合溶液电阻≤10000Ω;5)采用Cu作为电镀阳极,长有CNT纺丝阵列导线的基底作为阴极,在步骤4)配置好的乙酸铜、乙腈的混合溶液中,按照电镀电流I电镀2h,其中,基底上与阴极连接的电极不要接触混合溶液;6)将电镀电流I调整为电镀电流II,继续在乙酸铜、乙腈混合溶液中电镀2h,制得电镀后的CNT纺丝阵列与Cu复合导线;所述电镀电流II为电镀电流I的10倍;其中,基底上与阴极连接的电极不要接触混合溶液;7)将电镀后的CNT纺丝阵列与Cu复合导线采用乙腈清洗后,在H2环境下采用250℃退火3h,其中H2气流量150sccm,Ar气流量200sccm;8)对CNT纺丝阵列与Cu复合导线加载2×105A/cm2的电流,直至电阻稳定不再下降,得到最终的CNT纺丝阵列与Cu复合导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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