[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201811332614.4 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111180395B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王中磊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，在衬底中的栅极沟槽的内壁上形成栅氧化层，再对所述栅极沟槽进行亲水处理，然后再依次形成功函数层及栅电极层于所述栅极沟槽中，使所述栅氧化层、功函数层及栅电极层构成栅极结构，所述亲水处理增加了栅极沟槽内氢氧基的浓度，进而可以促进功函数层的成核，使形成的功函数层的均匀性更好，能够有效的减小漏电流且提高了功函数层的粘附性，使半导体器件的性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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