[发明专利]优化热分布的碳化硅肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811332676.5 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109244146A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种优化热分布的碳化硅肖特基二极管及其制造方法，其中：自下而上依次设置阴极电机、N型碳化硅衬底、N型外延层和阳极电极，所述N型外延层的上表面中部形成电流抑制区，所述电流抑制区中间隔地分布多个第二P型阱区，所述电流抑制区周围的N型外延层上表面间隔地分布多个第一P型阱区，所述第二P型阱区在电流抑制区中的面积占比大于第一P型阱区在芯片去除电流抑制区上的面积占比。本发明通过降低芯片中央的电流密度，明显降低了芯片中央的温度，因此使得芯片温度分布均匀，提高器件的额定电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电流抑制 肖特基二极管 芯片中央 热分布 上表面 碳化硅 芯片 半导体技术领域 阴极 温度分布均匀 阳极电极 依次设置 中间隔 衬底 去除 优化 制造 电机 | ||
【主权项】：
1.一种优化热分布的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述优化热分布的碳化硅肖特基二极管的元胞结构包括：自下而上依次设置阴极电极（1），N型碳化硅衬底（2），N型外延层（3）和阳极电极（7）；所述N型外延层（3）的上表面中部形成电流抑制区（8），所述电流抑制区（8）中间隔地分布多个第二P型阱区（5），相邻两个第二P型阱区（5）之间形成第二N型阱区（6）；所述电流抑制区（8）周围的N型外延层（3）上表面间隔地分布多个第一P型阱区（4），相邻两个所述第一P型阱区（4）之间形成第一N型阱区（9）。
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