[发明专利]一种基于PLD生长无机CuGaO2透明薄膜的半透明电池

摘要

本发明属于半导体光电子技术领域，具体为一种基于PLD生长无机CuGaO₂透明薄膜的半透明电池，该电池结构从下至上依次为第一透明电极基板、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、第二透明电极基板，其中第二透明电极基板具体为导电层/光减反层复合结构，其中导电层为超薄金属Ag、Au或银纳米线；光减反层为MoO₃或MgF₂,其中除钙钛矿层为半透明结构外，其它层均为透明结构，从而有效提高了电池整体平均透过率，各层间形成良好的能级匹配，降低了电池整体的串联电阻，进而提高电池的光电转换效率、稳定性等。同时，本发明采用全新的透明电极，摒弃了传统透明电极ITO中原材料日益稀缺的不足，其优化的性能和稳定的结构为半透明钙钛矿太阳能电池的商业化应用提供了新的思路。

主权项

1.一种基于PLD生长无机CuGaO2透明薄膜的半透明电池，其特征在于，该电池结构从下至上依次为第一透明电极基板、空穴传输层、吸光层、电子传输层、第二透明电极基板，所述吸光层由ABX3型钙钛矿材料形成，其中A选自Cs+，B选自Pb2+，X选自I‑和Br‑，整个电池在可见光区(300‑800nm)为半透明状。