[发明专利]大尺寸碳化硅单晶板的制备装置

摘要

本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶板的制备装置，涉及半导体材料制备装置技术领域。所述装置通过助溶剂导模法制备大尺寸碳化硅单晶板，并设计了一种SiC/Cr导电模具，SiC/Cr导模模具将熔体以界面张力吸引至毛细方孔结构中，通过毛细方孔结构加热进一步提高碳的溶解度，碳化硅晶体在毛细方孔结构中的熔体中进行定向生长，同时SiC/Cr导模不断溶解向熔体中提供Si原子及C原子，碳化硅晶体侧面有水冷装置用以提高碳化硅晶体的界面生长稳定性，在碳化硅晶体生长出部分通过温度梯度迁移消除夹杂缺陷，具有成本低，制备的碳化硅晶体尺寸大，且质量高等优点。

主权项

1.一种大尺寸碳化硅单晶板的制备装置，其特征在于：包括炉体（1），所述炉体（1）内的下侧设置有坩埚支撑（11），所述坩埚支撑（11）内设置有坩埚（10），所述坩埚支撑（11）的外侧设置有主加热器（8），所述坩埚（10）内设置有SiC/Cr导电模具，所述SiC/Cr导电模具的上侧设置有冷却装置，所述冷却装置的上侧设置有碳化硅单晶板（20），所述碳化硅单晶板（20）的上端设置有提拉杆，所述提拉杆的上端延伸至所述炉体（1）外，所述冷却装置的上侧设置有助熔金属迁移低温加热器（3）和助熔金属迁移高温加热器（19），所述冷却装置的中间以及所述低温加热器（3）与所述高温加热器（19）之间形成所述碳化硅单晶板（20）的提拉通道，初始时，所述坩埚（1）内的Si‑Cr‑C熔体（9）通过所述SiC/Cr导电模具引入到所述碳化硅单晶板（20）的下表面，使得所述Si‑Cr‑C熔体（9）与所述碳化硅单晶板（20）的下表面接触。