[发明专利]一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系在审
| 申请号： | 201811336328.5 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109254333A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈帛雄;赵科育;王涛;王珂;蓝士祺 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 710076 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于光学减反膜系设计，涉及一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系。该膜系由五层非规整高低折射率膜层在晶圆基底上交替镀制而成，在晶圆基底(1)上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，采用TiO2或Ta2O5；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，采用SiO2；各层膜厚度在0.2到2个标准波长之间；在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层；本发明在入射角45°时，薄膜在1550nm±5nm波段内透射率大于99.9％，且便于刻蚀成型。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆基 膜系 刻蚀 膜层 高低折射率 镀制 低折射率膜层 高折射率膜层 标准波长 规整 第三层 第一层 入射角 透射率 波段 沉积 薄膜 成型 | ||
【主权项】：
1.一种基于晶圆基底易刻蚀的减反膜系，其特征在于，该膜系由五层非规整高低折射率膜层在晶圆基底上交替镀制而成，在晶圆基底(1)上面依次镀制高低折射率的膜层：其中第二层(3)、第四层(5)为高折射率膜层，采用TiO2或Ta2O5；第一层(2)、第三层(4)、第五层(6)为低折射率膜层，采用SiO2；各层膜厚度在0.2到2个标准波长之间；在晶圆基底另一面上沉积相同的膜层。
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