[发明专利]基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811336892.7 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109449243A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴翟;赵智慧;王媛鸽;贾诚;吴恩平;史志锋;李新建 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法，是在碲化镉晶体表面平铺有二维二硫化钼纳米薄膜，在二维二硫化钼纳米薄膜和碲化镉晶体上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，碲化镉与二硫化钼形成II型异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为异质结型近红外光电探测器。本发明的近红外光电探测器，制备工艺简单，在室温下实现了高响应度、高探测率和快响应速度，并为高性能宽波段的红外探测器的设计提供了一种途径。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 碲化镉 近红外光电探测器 纳米薄膜 二维 异质结 金属电极 晶体的 制备 红外探测器 晶体表面 欧姆接触 异质结型 制备工艺 高响应 快响应 宽波段 输出级 探测率 平铺 构筑 | ||
【主权项】：
1.基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器，其特征在于：所述的II型异质结近红外光电探测器是在碲化镉晶体(1)表面的部分区域平铺有二维二硫化钼纳米薄膜(2)；在所述二维二硫化钼纳米薄膜(2)上设置有与所述二维二硫化钼纳米薄膜(2)呈欧姆接触的第一金属电极(3)，在所述碲化镉晶体(1)上设置有与所述碲化镉晶体(1)呈欧姆接触的第二金属电极(4)，所述第二金属电极(4)与所述二维二硫化钼纳米薄膜(2)间隔设置；所述碲化镉晶体(1)与二维二硫化钼纳米薄膜(2)之间形成II型异质结，并以所述第一金属电极(3)和所述第二金属电极(4)作为两输出级，构筑成为II型异质结近红外光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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