[发明专利]一种极近距离MIMO天线的超材料去耦方法在审
| 申请号： | 201811336920.5 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109244668A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 司黎明;江海鑫;吕昕 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01Q1/52 | 分类号： | H01Q1/52;H01Q15/00;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种极近距离MIMO天线的超材料去耦方法，属于无线通信技术领域。本方法所述极近距离是指MIMO天线内部单元间距小于0.1λ，通过利用具有单负特性的超材料，设计制作超材料覆层结构，在MIMO天线的正上方垂直放置多层超材料覆层，降低MIMO天线之间的耦合，实现高隔离的极近距离MIMO天线，展宽天线隔离带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 超材料 近距离 去耦 无线通信技术领域 垂直放置 覆层结构 内部单元 天线隔离 耦合 高隔离 多层 覆层 带宽 制作 | ||
【主权项】：
1.一种极近距离MIMO天线的超材料去耦方法，其特征在于：具体包含如下步骤：步骤一，设计超材料覆层结构；超材料覆层包含多个相同且中心对称的金属超材料单元，周期排列形成m×n，m>＝3,n>＝3的阵列；相邻超材料单元之间无缝紧贴，超材料单元阵列的面积能覆盖MIMO天线的所有天线单元面积，利用超材料单元负磁导率接近0的频段范围进行MIMO天线的去耦合；步骤二，在PCB板上制作超材料覆层；按照步骤一所述的超材料覆层结构，在PCB板上覆铜制作超材料覆层；步骤三，在MIMO天线的正上方垂直放置多层超材料覆层；每层超材料覆层的结构相同，面积能完全覆盖MIMO天线；距离MIMO天线最近的一层超材料覆层与MIMO天线的间距小于0.1λ，λ为MIMO天线中心工作波长；相邻两层超材料覆层的间距小于0.05λ，超材料覆层和MIMO天线之间以及相邻超材料覆层之间用介质柱支撑。
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