[发明专利]空气桥制造方法在审
| 申请号： | 201811337356.9 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109545738A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种空气桥制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极上形成光刻胶层,对所述光刻胶层进行部分曝光、显影，以暴露出所述电极和形成连接所述电极的桥体；在剩余的所述光刻胶层上形成金属种层，在所述金属种层上形成金属电镀层；进行第一次研磨；进行第二次研磨；去除所述剩余的光刻胶层。本申请所提出的空气桥制造方法，可以根据实际需要制造出任意曲率的空气桥，空气桥的形状可以被精确控制，可以制作出高纵横比和稳定机械强度的空气桥，相比于微波集成电路制作里传统的空气桥工艺，整个流程大大简化，提高了制造工艺的的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 空气桥 光刻胶层 电极 衬底 金属种层 研磨 制造 半导体 微波集成电路 曲率 金属电镀层 高纵横比 稳定机械 制造工艺 传统的 去除 显影 曝光 暴露 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种空气桥制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极上形成光刻胶层,对所述光刻胶层进行部分曝光并显影，以暴露出所述电极和形成连接所述电极的桥体；在剩余的所述光刻胶层上形成金属种层，在所述金属种层上形成金属电镀层；进行第一次研磨，直至研磨到所述金属种层而停止；进行第二次研磨，直至研磨到所述光刻胶层而停止。去除所述剩余的光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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