[发明专利]氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201811337726.9 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111180309A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李敏敏 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 曾银凤 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供氧化物半导体的前驱体溶液；将氧化物半导体的前驱体溶液置于保护气体环境中，对氧化物半导体的前驱体溶液进行紫外光光照处理，反应完全后，得到氧化物半导体溶胶；将氧化物半导体溶胶在衬底上成膜和热处理，即得氧化物半导体薄膜。该制备方法采用紫外光对氧化物半导体的前驱体溶液进行光照处理，氧化物半导体的前驱体吸收紫外光后，加速水解反应和缩聚反应，获得良好的氧化物半导体溶胶，再经过成膜和热处理，氧化物半导体薄膜由疏松多孔的结构转变为致密的结构，进而实现高性能氧化物半导体薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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