[发明专利]一种纳米晶体及其合成方法在审
| 申请号： | 201811338085.9 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109294586A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张超;张孟;李霞 | 申请（专利权）人： | 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/66;C09K11/58;C09K11/70;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 叶蕙;王锋 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市海宁市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米晶体及其合成方法。所述纳米晶体的合成方法包括：提供包含量子点核的反应体系；于所述反应体系中加入硫属化合物和阳离子，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的纳米晶体。本发明在量子点核上生长含硫壳层，并以硫属化合物取代三辛基膦硫(TOPS)和三丁基膦硫(TBPS)，可避免使用昂贵的三丁基硫(TBP)和三辛基膦(TOP)为配体，且避免了配置TOPS及TBPS所需时间和能耗，降低了成本及溶剂使用量，还使产物的荧光波段控制简单，合成工艺简单，适合规模化生产，尤为适应目前量子点产业化的各方面需求。本发明所获纳米晶体尺寸均一，单分散性较好，发射波长可调控，量子效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶体 量子点 硫属化合物 三辛基膦 合成 规模化生产 溶剂使用量 包覆壳层 尺寸均一 单分散性 发射波长 核壳结构 合成工艺 量子效率 三丁基膦 荧光波段 产业化 可调控 阳离子 丁基 壳层 配体 能耗 生长 配置 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶体的合成方法，其特征在于包括：提供包含量子点核的反应体系；于所述反应体系中加入硫属化合物和阳离子，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的纳米晶体。
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