[发明专利]沟槽超级结功率MOSFET的端子设计

摘要

本公开涉及沟槽超级结功率MOSFET的端子设计。多个沟槽条并行安置于漏极上的外延层中并且从半导体的第一表面的顶部区延伸至底部区。第一多晶硅层在所述沟槽条中的每个沟槽条中。所述第一多晶硅层在所述漏极与接近所述顶部区和所述底部区的所述第一表面之间延伸，并且在所述漏极与在所述顶部区与所述底部区之间的中间区中的第一表面下方的水平面之间延伸。第二多晶硅层在所述中间区中的所述第一多晶硅层上方，其中所述第一多晶硅层形成屏蔽件，并且所述第二多晶硅层形成栅极。源极在围绕所述第一沟槽条的硅台面条中。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一沟槽条，所述第一沟槽条从所述半导体装置的第一表面的顶部区延伸至所述第一表面的底部区；硅台面条，所述硅台面条邻近于所述第一沟槽条的第一侧和第二侧延伸，并且所述第一沟槽条的终止端连接在所述第一侧与所述第二侧间，所述第一侧与所述第二侧相对；在第一沟槽条中的第一栅极，所述第一栅极跨越所述顶部区与所述底部区之间的中间区；在所述第一沟槽条中的第一完全屏蔽件，所述第一完全屏蔽件在漏极与所述第一表面之间延伸并且接近所述底部区，所述漏极形成于与所述第一表面相对的半导体基板中；在所述第一沟槽条中的第一局部屏蔽件，所述第一局部屏蔽件在所述漏极与所述第一栅极之间延伸，并且连接至所述第一完全屏蔽件；所述第一完全屏蔽连接至在第二栅极与所述漏极之间的第二局部屏蔽件和在第三栅极与所述漏极之间的第三局部屏蔽件，所述第二栅极在第二沟槽条中，所述第三栅极在第三沟槽条中，并且所述第一栅极插入在所述第二栅极与所述第三栅极之间；和形成于所述硅台面条上的源极，其中所述源极、所述第一栅极和所述漏极为场效应晶体管的端子。