[发明专利]发光装置以及电子设备在审
申请号: | 201811338483.0 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN110010639A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 野泽陵一;天野温;腰原健;深濑章夫;岩田信一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种发光装置,该发光装置在基体上形成有:第1发光元件以及第2发光元件,其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构;以及像素定义层,其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成,且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。 | ||
搜索关键词: | 反射层 发光元件 半透光 发光装置 发光功能层 像素定义层 电子设备 共振结构 绝缘材料 开口部 射出光 差量 共振 膜厚 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,包括:设置有显示区域和周边区域的基板;设置在所述显示区域和所述周边区域二者处的密封体;设置在所述密封体与所述基板之间的第一导电体和第二导电体,所述第一导电体设置在所述显示区域处,所述第二导电体设置在所述周边区域处,所述第一导电体具有反射表面;设置在所述密封体与所述第一导电体和所述第二导电体中的每一个之间的绝缘层;设置在所述密封体与所述第一导电体之间的第一电极和第二电极;设置在所述密封体与所述第二导电体之间的导通用电极;设置在所述密封体与所述第一电极的外围边缘、所述第二电极的外围边缘和所述导通用电极的外围边缘中的每一个之间,且具有设置在所述第一电极上的第一开口部、设置在所述第二电极上的第二开口部和设置在所述导通用电极上的第三开口部的像素定义层;以及设置在所述密封体与所述像素定义层、所述第一电极、所述第二电极和所述导通用电极中的每一个之间,且具有半透射反射表面的第三电极,所述第一导电体的反射表面与所述第三电极的半透射反射表面之间的与所述第一电极重叠的第一间隔与在所述第一导电体的反射表面与所述第三电极的半透射反射表面之间的与所述第二电极重叠的第二间隔不同,并且,所述像素定义层的厚度小于第一间隔与第二间隔之间的差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811338483.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的