[发明专利]一种双层或三层石墨烯制备方法在审
| 申请号： | 201811338738.3 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109485035A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郝玉峰;李少鹏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了双层或三层石墨烯制备方法，以化学气相沉积系统为生长制备系统，铜或铜镍合金箔为生长衬底来生长大面积均匀一致的双层及三层石墨烯；且所述金属箔衬底放置于一个限域空间内，这一限域空间由另一片同样的金属箔折叠或卷曲成的金属箔口袋或金属箔管来实现，双层或三层石墨烯能够通过气相沉积生长在金属箔衬底上；用于生长石墨烯的气源为甲烷、乙烯或乙炔和氢气，生长温度900‑1050℃；生长时间30‑600分钟；系统压强范围从0.1Torr到大气压。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 生长 三层 金属箔衬 限域空间 金属箔 制备 化学气相沉积系统 乙炔 金属箔管 均匀一致 气相沉积 铜镍合金 系统压强 制备系统 卷曲 氢气 甲烷 折叠 衬底 气源 乙烯 | ||
【主权项】：
1.双层或三层石墨烯制备方法，其特征是，以化学气相沉积系统为生长制备系统，铜或铜镍合金箔为生长衬底来生长大面积均匀一致的双层及三层石墨烯；且所述金属箔衬底放置于一个限域空间内，这一限域空间由另一片同样的金属箔折叠或卷曲成的金属箔口袋或金属箔管来实现，双层或三层石墨烯能够通过气相沉积生长在金属箔衬底上；用于生长石墨烯的气源为甲烷、乙烯或乙炔和氢气，生长温度900‑1050℃；生长时间30‑600分钟；系统压强范围从0.1Torr到大气压。
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