[发明专利]超结金属氧化物场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811338922.8 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109378343A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市富裕泰贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超结金属氧化物场效应晶体管，其包括：衬底，第一外延层和第二外延层，位于所述第一外延层内且部分延伸至所述第二外延层内的柱区，位于所述第一外延层内且分布在所述柱区两侧的沟槽，填充在所述沟槽内的隔离层，所述隔离层与所述柱区接触，位于所述第二外延层内且连接所述柱区的体区；其还包括源区、栅介质层、多晶硅层、介质层、源极金属、栅极金属和漏极金属。本发明还公开所述超结金属氧化物场效应晶体管的制作方法。本发明所述超结金属氧化物场效应晶体管通过设置隔离层，从而使得柱区内的杂质分布更均匀，同时使得所述柱区的剖面形貌类似于柱状，避免波浪形的PN结的形成，提升所述超结金属氧化物场效应晶体管的耐压和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物场效应晶体管 外延层 超结 柱区 隔离层 形貌 多晶硅层 漏极金属 源极金属 杂质分布 栅极金属 栅介质层 波浪形 介质层 衬底 耐压 体区 源区 柱状 填充 制作 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底的上表面的第一外延层，所述第一外延层包括至少一层第一导电类型的子外延层；位于所述第一外延层的上表面的第一导电类型的第二外延层；位于所述第一外延层内且部分延伸至所述第二外延层内的第二导电类型的柱区；位于所述第一外延层内且分布在所述柱区两侧的沟槽，所述沟槽的深度大于或者等于所述柱区在所述第一外延层内的深度；填充在所述沟槽内的隔离层，所述隔离层与所述柱区接触；位于所述第二外延层内且连接所述柱区的第二导电类型的体区；位于所述体区内的第一导电类型的源区；位于所述第二外延层的上表面的栅介质层；位于所述栅介质层的上表面的多晶硅层；位于所述栅介质层及所述多晶硅层的上表面的介质层；连接所述源区和所述体区的源极金属；连接所述多晶硅层的栅极金属；位于所述衬底的下表面的漏极金属。
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