[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811339154.8 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111180513B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿衬底表面法线方向层叠的第一沟道层、以及位于相邻两层第一沟道层之间的牺牲层；形成横跨鳍部的伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的鳍部内形成第一凹槽；在第一凹槽暴露出的鳍部侧壁和伪栅极结构侧壁形成第一保护层；对第一凹槽底部的鳍部进行刻蚀形成第二凹槽；去除第二凹槽侧壁的部分第一沟道层以形成第二沟道层，第二沟道层侧壁相对于第一沟道层侧壁凹陷；去除第一保护层；在第一凹槽和第二凹槽内形成源漏掺杂层；在衬底和鳍部上形成介质层；去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的牺牲层形成栅开口；在栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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