[发明专利]一种半导体器件键合丝的键合质量评定方法有效
申请号: | 201811339293.0 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109632791B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 邝栗山;郭金花;王坦 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84;G01N21/01;G01R31/26;B24B19/00 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王刚 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件键合丝的键合质量评定方法,包括:通过半导体器件制作样品;研磨所述样品获得键合丝键合点的中心剖面;通过金相显微镜观察所述中心剖面获得形貌结果;通过数字多用表和探针台测试所述中心剖面获得电测试结果;根据所述形貌结果和所述电测试结果评定键合丝的键合质量。本发明的评定方法代替了传统适用范围较窄的键合质量评定方法,可适用于铜丝,并且能够从形貌以及电测试两个方面对键合丝的键合质量进行评定,保证了评定结果的准确性而使得器件的使用可靠性提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 键合丝 质量 评定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件键合丝的键合质量评定方法,其特征在于,包括:通过半导体器件制作样品;研磨所述样品获得键合丝键合点的中心剖面;通过金相显微镜观察所述中心剖面获得形貌结果;通过数字多用表和探针台测试所述中心剖面获得电测试结果;根据所述形貌结果和所述电测试结果评定键合丝的键合质量。
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