[发明专利]半导体器件与其制作方法在审
| 申请号： | 201811339671.5 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111170263A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王英辉;尚海平;王玮冰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：提供第一待键合结构，第一待键合结构包括具有凹槽的第一衬底，第一衬底的材料包括碳化硅；提供第二待键合结构，第二待键合结构包括依次叠置设置的第二衬底、感应层和形变层，感应层的材料包括基体材料和N型或P型的掺杂杂质；将第一待键合结构和第二待键合结构键合，使得形变层的远离感应层的表面与凹槽两侧的第一衬底的表面接触，且形变层和凹槽形成感应空腔；去除第二衬底。该制作方法形成的半导体器件能够在高温等极端恶劣的环境下实现精准测量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
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