[发明专利]一种高热导、电绝缘液相烧结碳化硅陶瓷及其SPS工艺制备方法有效
| 申请号： | 201811339714.X | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109336609B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 姚秀敏;葛盛;刘学建;黄政仁;张辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高热导、电绝缘液相烧结碳化硅陶瓷及其SPS工艺制备方法。一种辉光放电等离子液相烧结碳化硅陶瓷的制备方法包括：将SiC粉体、稀土氧化物和溶剂混合，制备得到浆料，所述稀土氧化物为CeO |
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| 搜索关键词： | 一种 高热 绝缘 烧结 碳化硅 陶瓷 及其 sps 工艺 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种辉光放电等离子液相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：将SiC粉体、稀土氧化物和溶剂混合，制备得到浆料，所述稀土氧化物为CeO2、Y2O3、Er2O3中的至少两种；将所得浆料经干燥、过筛、成型后得到坯体；将所得坯体在加压、惰性气氛条件下进行辉光放电等离子烧结，得到所述辉光放电等离子液相烧结碳化硅陶瓷。
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