[发明专利]一种易失和非易失电阻转变行为可调控的忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811340222.2 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109659433B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李祎;李灏阳;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种易失与非易失电阻转变行为可调控的忆阻器及其制备方法，包括：下电极、功能层和上电极，下电极位于衬底表面，上电极位于器件最上层，功能层夹在上电极和下电极之间形成三明治结构。功能层由离子迁移率不同的第一功能层和第二功能层构成，第一功能层与下电极接触，第二功能层在第一功能层上方，与上电极接触。本申请提供的技术方案通过改变功能层厚度实现器件易失和非易失电阻转变行为的可调控，并且通过利用改变器件结构，而不改变器件材料组成，从而能够在构建全忆阻神经网络时使用同一工艺，降低了制备工艺的难度及复杂程度，同时能够与现有CMOS工艺兼容，有利于在工业上大规模实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失和 非易失 电阻 转变 行为 调控 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种易失与非易失电阻转变行为可调控的忆阻器，所述忆阻器包括：下电极、功能层和上电极，所述下电极位于衬底表面，所述上电极位于器件最上层，所述功能层夹在所述上电极和所述下电极之间形成三明治结构，其特征在于，所述功能层由离子迁移率不同的第一功能层和第二功能层构成，第一功能层与所述下电极接触，第二功能层在第一功能层上方，与所述上电极接触。
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