[发明专利]一种荧光量子点的优化处理方法有效

专利信息
申请号: 201811340801.7 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109609114B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 卢睿;边盾;杨磊;刘莹 申请(专利权)人: 天津市中环量子科技有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 唐致明
地址: 300380 天津市西青区西青学*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种荧光量子点的优化处理方法,包括以下步骤:(1)制备荧光量子点包覆复合材料,所述荧光量子点包覆复合材料包括荧光量子点和包覆在所述荧光量子点上的阻挡层;(2)取荧光量子点包覆材料,加入硅烷偶联剂二,加热搅拌,所述硅烷偶联剂二含有官能团碳碳双键、环氧基、丙烯酸基、氨基甲酸酯基中的任一种;(3)在步骤(2)的产物表面制备聚合物层;(4)对步骤(3)的产物进行辐照处理。利用本发明的方法优化处理后的荧光量子点能够保持较好的量子产率,提高了材料的化学稳定性和使用寿命。
搜索关键词: 一种 荧光 量子 优化 处理 方法
【主权项】:
1.一种荧光量子点的优化处理方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备荧光量子点包覆材料,所述荧光量子点包覆材料包括荧光量子点和包覆在所述荧光量子点上的阻挡层;(2)取荧光量子点包覆材料,分散于非极性溶剂中,在惰性气体保护下加入硅烷偶联剂二,加热搅拌,所述硅烷偶联剂二含有官能团碳碳双键、环氧基、丙烯酸基、氨基甲酸酯基中的任一种;(3)加入聚合物单体,在步骤(2)的产物表面制备聚合物层;(4)在惰性气体保护下,对步骤(3)的产物进行辐照处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市中环量子科技有限公司,未经天津市中环量子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811340801.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top