[发明专利]薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法有效
| 申请号： | 201811342219.4 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109459464B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李广耀;黄磊;王海涛;汪军;王庆贺;李伟;王东方;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法，所述薄膜晶体管用于检测结合有金属离子的待测物体的参数，其中：所述薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率为第一迁移率，所述有源层与所述金属离子包含的金属元素结合后的载流子迁移率为第二迁移率，所述第二迁移率不同于所述第一迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 阵列 物体 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，用于检测结合有金属离子的待测物体的参数，其中：所述薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率为第一迁移率，所述有源层与所述金属离子包含的金属元素结合后的载流子迁移率为第二迁移率，所述第二迁移率不同于所述第一迁移率。
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