[发明专利]一种高均匀性低漏电的硅基微显示像素电路

摘要

一种高均匀性低漏电的硅基微显示像素电路。本发明包括一种新型的像素电路，包括驱动管N1、开关管P1、开关管P2、开关管N2、存储电容C1。本发明在现有2T1C像素电路基础上，提出一种改进型4T1C像素电路。该电路只是在现有像素电路基础上增加了连接成二极管形式的晶体管N2和连接成二极管形式的晶体管P2。在不同的工艺偏差下，驱动管N1阈值电压变化时，晶体管N2阻值跟随变化，最终减弱了由于阈值电压漂移带来的VO的变化量。增加了OLED发光的均匀性。行选控制信号SEL为高电平时，VG点电压通过P1不断漏电，增加的晶体管P2在VG和VG1之间有一个寄生的反向二极管，会使VG点的漏电减小，VG电压相对图1传统像素结构中驱动管栅极电压更稳定。

主权项

1.一种高均匀性低漏电的硅基微显示像素电路，其特征是：它包括驱动管N1、开关管P1、开关管P2、开关管N2、存储电容C1；开关管P1的漏极与输入电压源Vdata正向端相连，开关管P1的源极与开关管P2的漏极相连，开关管P1的衬底与电源VDD相连，开关管P1的栅极与行选控制信号SEL相连。电压源Vdata负向端与地GND相连；开关管P2的源极、栅极、衬底及电容C1的一端与驱动管N1的栅极相连，驱动管N1的漏极与电压源VDD相连；驱动管N1的衬底与地GND相连，驱动管N1的源极与开关管N2的漏极、栅极、电容C1的另一端相连，开关管N2的源极与OLED阳极相连，开关管N2的衬底与地GND相连。OLED的阴极与Vcom电压相连；采用开关管N2连接成二极管形式改善了因驱动管N1阈值电压漂移带来的不均匀性；在不同的工艺偏差下，驱动管N1阈值电压增大时，VS减小，同时开关N2电阻值减小，从而减弱了VO的减小量；驱动管N1阈值电压减小时，VS增大，开关管N2电阻值增大，从而减弱了VO的增大量；最终减弱了由于阈值电压漂移带来的VO的变化量；稳定了OLED两端的电压，增加了OLED发光的均匀性；行选控制信号SEL为高电平时， 驱动管N1的栅极电压通过开关管P1不断漏电，开关管P2晶体管在VG和VG1之间有一个寄生的反向二极管，会使VG点的漏电减小，VG电压相对传统像素结构的电压更稳定。